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六氟化钨

六氟化钨，WF6，Tungsten hexafluoride

CAS NO  7783-82-6
UN NO  UN2196 
EINECS NO 232-029-1
Molecular weight 297.83
Appearance Colorless gas 
Melting point 2.3 ℃
Boiling point 17.1 ℃
Density 13.0 kg/m
DOT Class 2.3 
Label Toxic gas
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Description

六氟化钨（WF₆）是一种在半导体制造中用于化学气相沉积工艺的必需电子气体。它能被氢气还原，从而在芯片孔和接触孔中沉积出高纯度的钨薄膜，是至关重要的互连金属材料。

产品应用

半导体化学气相沉积（CVD）：作为核心原材料，在晶圆表面沉积钨薄膜，用于芯片内部的接触孔填充和互连线制作。尤其适用于3D NAND闪存（层数向232层、300层突破）和DRAM等先进存储芯片以及7nm以下的先进逻辑芯片制造。

制备高纯钨与涂层：作为气态原料制备高纯钨粉；或通过CVD技术在钢表面形成坚硬的碳化钨涂层，用于航空航天发动机部件、高温模具及核聚变装置保护层，以提高耐磨和耐高温性能。

原子层沉积（ALD）：在5nm及以下的先进制程中，用于沉积更致密、均匀且厚度可控的钨薄膜。

气体纯度

Specification99.9999%
O2+Ar＜0.001
N2＜0.001
CO＜0.003
CO2＜0.008
Li＜0.001
Na＜0.001
Mg0.01
Al＜0.002
K＜0.001
Ca＜0.001
Specification99.9999%
Cr＜0.001
Mn＜0.001
Fe＜0.003
CO＜0.003
Ni＜0.004
Cu＜0.001
Zn＜0.001
Cd＜0.001
Pb＜0.001
Th＜0.001
Specification99.9999%
U＜0.001
P＜0.010
Ti＜0.001
As＜0.001
Mo＜0.001
Si＜0.001
B＜0.003
SiF4＜0.003
SF6＜0.027
HF0.185
CF4＜0.010
Other metals＜0.001

包装信息

Cylinder CapacityValveWeight
40LCGA 590 / QF-2100 kg
若有其他需求请联系我们

检验报告

欢迎参观

售后服务&物流服务

本公司配备有各类产品的专业危化运输车辆，拥有一支作风优良、技术过碩、作业规范的物流队伍，构建了完善的国内外物流配送体系，可以充分满足客户安全及时的配送需求。
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