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六氟化钨,WF6
》发送邮件《| CAS NO | 7783-82-6 |
| UN NO | UN2196 |
| EINECS NO | 232-029-1 |
| Molecular weight | 297.83 |
| Appearance | Colorless gas |
| Melting point | 2.3 ℃ |
| Boiling point | 17.1 ℃ |
| Density | 13.0 kg/m |
| DOT Class | 2.3 |
| Label | Toxic gas |
六氟化钨（WF₆）是半导体制造中化学气相沉积工艺所用的关键电子气体。它可被氢气还原，进而在芯片孔洞与接触孔内沉积高纯度钨膜，是一种重要的互连金属材料。
产品应用
半导体化学气相沉积（CVD）：钨膜作为核心材料，被沉积在晶圆表面，用于填充芯片内的接触孔并制作互连结构。该工艺尤其适用于 3D NAND 闪存（其堆叠层数已实现 232 层、300 层的技术突破）、动态随机存取存储器（DRAM）等高端存储芯片，以及 7 纳米及以下制程的先进逻辑芯片。
高纯钨及涂层制备：以高纯钨粉作为气态原料进行制备；或采用化学气相沉积（CVD）技术在钢材表面制备硬质碳化钨涂层。该涂层可应用于航空发动机零部件、高温模具以及核聚变装置防护层，以此提升工件的耐磨性与耐高温性能。
原子层沉积（ALD）：在 5 纳米及以下制程的先进制造工艺中，该技术用于沉积致密度更高、均匀性更好且厚度可精准调控的钨薄膜。
气体纯度
| Specification | 99.9999% |
| O2+Ar | ＜0.001 ppbw |
| N2 | ＜0.001 ppbw |
| CO | ＜0.003 ppbw |
| CO2 | ＜0.008 ppbw |
| Li | ＜0.001 ppbw |
| Na | ＜0.001 ppbw |
| Mg | 0.01 ppbw |
| Al | ＜0.002 ppbw |
| K | ＜0.001 ppbw |
| Ca | ＜0.001 ppbw |
| Specification | 99.9999% |
| Cr | ＜0.001 ppbw |
| Mn | ＜0.001 ppbw |
| Fe | ＜0.003 ppbw |
| CO | ＜0.003 ppbw |
| Ni | ＜0.004 ppbw |
| Cu | ＜0.001 ppbw |
| Zn | ＜0.001 ppbw |
| Cd | ＜0.001 ppbw |
| Pb | ＜0.001 ppbw |
| Th | ＜0.001 ppbw |
| Specification | 99.9999% |
| U | ＜0.001 ppbw |
| P | ＜0.010 ppbw |
| Ti | ＜0.001 ppbw |
| As | ＜0.001 ppbw |
| Mo | ＜0.001 ppbw |
| Si | ＜0.001 ppbw |
| B | ＜0.003 ppbw |
| SiF4 | ＜0.003 ppbw |
| SF6 | ＜0.027 ppbw |
| HF | 0.185 ppbw |
| CF4 | ＜0.010 ppbw |
| Other metals | ＜0.001 ppbw |
包装信息
| Cylinder Capacity | Valve | Weight |
|---|---|---|
| 40L | CGA 590 / QF-2 | 100 kgs |
检验报告
欢迎参观
售后服务&物流服务
本公司配备有各类产品的专业危化运输车辆，拥有一支作风优良、技术过碩、作业规范的物流队伍，构建了完善的国内外物流配送体系，可以充分满足客户安全及时的配送需求。
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一、售后服务
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2、确保交付至客户手中的产品三证齐全:合格证 COA MSDS。
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二、物流服务
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