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2026 年,适配先进半导体工艺的 6N–7N 级超高纯二氧化碳陷入全球性供需失衡,继氦气、氟系特种气体后,成为又一类存在中长期结构性缺口的核心制程耗材。传统气源产地产能收缩、跨境交付周期拉长、各区域现货报价持续上涨,维持多年的海外寡头垄断供给格局被打破,供应链重构为全球电子气体厂商开辟全新增量市场。
2026 年,适配先进半导体工艺的 6N–7N 级超高纯二氧化碳陷入全球性供需失衡,继氦气、氟系特种气体后,成为又一类存在中长期结构性缺口的核心制程耗材。传统气源产地产能收缩、跨境交付周期拉长、各区域现货报价持续上涨,维持多年的海外寡头垄断供给格局被打破,供应链重构为全球电子气体厂商开辟全新增量市场。
1.供需存在中长期结构性缺
超高纯 CO₂是芯片制造环节难以替代的专用材料,主要应用于 7–28nm 逻辑芯片、HBM 高带宽内存、3D NAND 闪存的超临界二氧化碳清洗工序,直接决定晶圆良率与工艺稳定性,当前暂无性能匹配的替代物料。多家全球产业调研机构测算,2026 年全球先进制程专用 6N/7N 超高纯 CO₂供需缺口达 12%–15%,本轮供给紧张源于产业底层结构矛盾,并非短期季节性波动。
2.供给端:传统产区气源持续萎缩
供给端收紧的核心诱因,是全球高端优质原料气源持续缩减。半导体级高纯 CO₂主流制备路径以石化、炼油、制氢尾气回收提纯为主,纯化学合成路线成本高昂、杂质可控性弱,不具备规模化商用价值。生产环节采用多级精密精馏搭配催化氧化、分子筛吸附组合提纯工艺,配套全密闭洁净储运系统,针对氢气、氧氩混合气、氮气、一氧化碳、甲烷、水分等痕量杂质分级管控;以 6N 等级(纯度≥99.9999%)产品为例,各单项杂质限值分布在 0.01–0.17ppm 区间,7N 产品纯度≥99.99999%,单项杂质管控标准进一步下探至 ppb 级别。近年欧美、韩国等传统半导体核心区域化工装置开工率持续下行,高品质稳定尾气气源持续减少,全球可外销、适配先进制程的高端高纯 CO₂有效产能同步萎缩。
3.需求端刚性扩张放大供应链风险
需求端维持刚性扩张态势。全球各地先进逻辑、高端存储新建产线集中投产,叠加各大晶圆厂出于供应链风控加大前置备货、长单锁采力度,供需差额进一步拉大。现阶段欧美、韩国头部晶圆企业高纯 CO₂库存已跌破当地行业通用 1 个月安全储备线,亚太及日韩区域现货价格年内涨幅普遍超20%;跨国供货周期拉长、货源波动频繁、采购成本持续上行,充分暴露当前全球半导体材料供应链抗风险短板。
4.传统垄断模式埋下集中化隐患
长期以来,全球高端高纯 CO₂市场高度集中,少数国际老牌气体企业依托先发技术沉淀、长期客户资质壁垒、自有稳定气源资源,占据绝大部分市场份额,全球晶圆厂气源采购渠道单一,供应链集中化风险突出。
全球气源持续紧缺,晶圆厂急需多渠道备份气源。氙氚半导体级超高纯 CO₂适配 7–28nm 芯片、HBM、3D NAND 清洗工序,作为稳定备选气源,规避单一海外货源断供、涨价、交付延迟风险。
全球供应链多元分散已成长期趋势,氙氚凭借稳定产能、高标准纯度与全球化交付能力,是全球晶圆厂优化气源结构、保障产线连续运行的优质合作伙伴。
