描述

电子气体混合气体分类

序号No.	Electron gas mixture summary
1	二氯硅烷（DCS)5000ppm + N2；二氯硅烷（DCS) 15ppm + N2
2	二氯硅烷（DCS)10 ppm + 三氯硅烷(TCS)10 ppm + 氦He
3	HCl 50ppm + 二氯硅烷（DCS)1000ppm + 平衡He
4	硅烷（H4Si）1% + 二氯硅烷（DCS)1% + 三氯硅烷(TCS)1% + 四氯化硅Cl4Si 1% +N2
5	硅烷（H4Si）50ppm + 三氯硅烷(TCS)1000ppm + He
6	三氯硅烷(TCS) 15ppm + N2
7	乙硅烷(Si2H4） 100ppm ～ 200ppm + H2
8	乙硅烷 10ppm + He
9	CO2 5ppm+硅烷（H4Si）135ppm + 乙硅烷 (Si2H4）1000ppm + He
10	SiH4 5ppm～15%+Ar(H2/N2/He)
11	H2 5ppm + Ar 5ppm +N2 5ppm +CO 5ppm + CH4 5ppm + CO2 5ppm + 硅烷（H4Si）1000ppm 的平衡He
12	乙硼烷（B2H6） 50～100ppm + H2
13	砷烷（AsH3） 100ppm～0.7% + H2
14	锗烷（GeH4） 1%～10% + H2
15	三氯化硼（BCl3）1%～5% + N2（He）
16	PH3 0.8ppm ～ 500ppm + He(H2)
17	HCl 9ppm～50% + N2
18	NF3 99.99% 180g～1500g
19	NF3 20ppm～30ppm + Air
20	NF3 15ppm + N2
21	CF4 80% + O2
22	Ar 5ppm～80% + Ne（H2/He/N2）
23	Kr 8%～50% + Ar
24	Ne 80%～97% + Ar

产品应用

Name: 电子混合气-Electron mixture gas
SKU: 1308
Availability: InStock

也用于半导体制造过程化学汽相淀积、晶体生长、热氧化、epitSome气体可直接用作半导体的来源,如硅源、硼源、磷源和化学气相沉积(CVD)的来源。axy、扩散、多晶硅、钨酸离子注入,载流子,烧结等。

在大规模集成电路(LSI),超大规模集成(VLSI)、半导体和电子设备生产加工过程,电子气体主要用于气相外延生长,化学气相沉积、掺杂(杂质扩散)、蚀刻、离子注入、溅射、退火、系统压力,清洁清洗、吸覆盖、氧化和还原过程。

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