电子混合气-Electron mixture gas

指含有两种或两种以上有效组份,或虽属非有效组份但其含量超过规定限量的气体。由几种气体组成的混合物,是工程上常用的工质。混合气体通常被当作理想气体研究

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描述

电子气体混合气体分类

序号No.Electron gas mixture summary
1二氯硅烷(DCS)5000ppm + N2; 二氯硅烷(DCS) 15ppm + N2 
2二氯硅烷(DCS)10 ppm + 三氯硅烷(TCS)10 ppm + 氦He
3HCl 50ppm + 二氯硅烷(DCS)1000ppm + 平衡He
4硅烷(H4Si)1% + 二氯硅烷(DCS)1% + 三氯硅烷(TCS)1% + 四氯化硅Cl4Si 1% +N2
5硅烷(H4Si)50ppm + 三氯硅烷(TCS)1000ppm + He
6三氯硅烷(TCS) 15ppm + N2
7乙硅烷(Si2H4) 100ppm ~ 200ppm + H2
8乙硅烷 10ppm + He
9CO2 5ppm+硅烷(H4Si)135ppm + 乙硅烷 (Si2H4)1000ppm + He
10SiH4 5ppm~15%+Ar(H2/N2/He)
11H2 5ppm + Ar 5ppm +N2 5ppm +CO 5ppm + 
CH4 5ppm + CO2 5ppm + 硅烷 (H4Si)1000ppm 的平衡He
12乙硼烷(B2H6) 50~100ppm + H2
13砷烷(AsH3) 100ppm~0.7% + H2
14锗烷(GeH4) 1%~10% + H2
15三氯化硼(BCl3)1%~5% + N2(He)
16PH3 0.8ppm ~ 500ppm + He(H2)
17HCl 9ppm~50% + N2
18NF3 99.99% 180g~1500g
19NF3 20ppm~30ppm + Air
20NF3 15ppm + N2
21CF4 80% + O2
22Ar 5ppm~80% + Ne(H2/He/N2)
23Kr 8%~50% + Ar
24Ne 80%~97% + Ar

产品应用

也用于半导体制造过程化学汽相淀积、晶体生长、热氧化、epitSome气体可直接用作半导体的来源,如硅源、硼源、磷源和化学气相沉积(CVD)的来源。axy、扩散、多晶硅、钨酸离子注入,载流子,烧结等。

在大规模集成电路(LSI),超大规模集成(VLSI)、半导体和电子设备生产加工过程,电子气体主要用于气相外延生长,化学气相沉积、掺杂(杂质扩散)、蚀刻、离子注入、溅射、退火、系统压力,清洁清洗、吸覆盖、氧化和还原过程。

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一、售后服务

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